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如1310nm，色散位移型：光纤生产长家将光纤传输化在两个波长的光上，如：1310nm和1550nm，C.按折射率分布情况分：突变型和渐变型光纤，突变型：光纤中心芯到玻璃包层的折射率是突变的，其成本低，模间色散高，，如?。
　　金属屏蔽金属屏蔽的作用：1）形成工作电场的低压电极，部有毛时也会形成电场强度很大的情况，因此，也要力图使导体表面尽量到光滑圆整。2）电容电流及故障电流的通路，因此也有一定的截面要求。半导电屏蔽层半导电屏蔽层是中高压电缆采用的一项改善金属电极表面电场分布，同时绝缘表面耐电强度的重要措施。
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废品 从一份国内再生资源利用市场分析报告了解到，上世纪末，发达 再生资源产业规模已达2500亿美元，本世纪初已增加到6000亿美元。“目前再生资源企业有5000多家，网点16万个（未登记或临时的网点有近40万个），工厂3000多家，从业人员140万人。若包括进城收废品的农民工，国内废旧物资行业的就业人数近1000万。遍布 各地，并且在一些重点地区形成了不同的产业规模。每年可的再生资源近1亿吨，价值200 多万吨、废有色金属500多万吨、废塑料600万吨、废轮胎5000多万条、其他废旧物资1000多万吨。
作业条件及现场准备工作箱体完毕。箱内空、配线导线、配线扎带等已经准备完毕，并且符合设计图纸、配电箱要求。施工工序导轨要水平，并与盖板空操作孔相匹配。空空时首先要注意箱盖上空孔位置，保证空位置在箱盖预留位置。其次关时要从左向右排列，关预留位应为一个整位。预留位一般放在配电箱右侧。排总空与分空之间有预留一下完整的整位用于排空配线。导线选择零线颜色要采用蓝色。电线能承受的电流，不是计算出来的，而是实验得到的结果。测试方法大概就是在20°C环境下，对1米长度的电线进行加压测试，获得该长度电线能够持续通过的安全电流值。这个数值会被标注在产品的铭牌上——每个品牌、每个型号的电线，只需要测试一次。电线承载的安全电流量是在 多部门通过各种生产试验后制订 标准后由各生产单位以 标准组织实施生产。而消费者在使用时必须按照 标准范围内选择使用。选用电线必须遵守的原则：按使用环境及敷设方式选择。在我们电工从业者工作中，为了完成电气控制线路当中延时、定时功能任务，我们均会使用时间继电器这种电控器件。时间继电器在电控线路图中的标识符为KT，按延时动作过程不同，分为通电延时型和断电延时型两大类。早前电控系统中所用之时间继电器多为空气阻尼式，这种时间继电器根据吸合线圈的位置不同，可以分别胜任断电延时和通电延时两种任务，但由于该种时间继电器体积太大、延时精度低、使用寿命短等缺点已被大量淘汰。随着电子技术以及软件技术的发展，目前的时间继电器绝大多数为数字电路或单片机形式。基本上同通用数据寄存器。除非改写，否则原有数据不会丢失，不论电源接通与否，plc运行与否，其内容也不变化。然而在二台PLC作点对的通信时，D490～D509被用作通信 9，共2000点。文件寄存器是在用户程序存储器（RAM、EEPROM、EPROM）内的一个存储区，以500点为一个单位， 多可在参数设置时到2000点。用外部设备口进行写入操作。在PLC运行时，可用BMOV指令读到通用数据寄存器中，但是不能用指令将数据写入文件寄存器。初学plc编程应注意这三个方面，少走弯路，双线圈输出丨程序的优化设计丨编程元件的位置。双线圈输出如果在同一个程序中，同一元件的线圈使用了两次或多次，称为双线圈输出。对于输出继电器来说，在扫描周期结束时，真正输出的是 一个Y0的线圈的状态(见a)。Y0的线圈的通断状态除了对外部负载起作用外，通过它的触点，还可能对程序中别的元件的状态产生影响。a中Y0两个线圈所在的电路将梯形图划分为3个区域。因为PLC是循环执行程序的， 上面和 下面的区域中Y0的状态相同。电容在电路中一般用“C”加数字表示（如C25表示编号为25的电容）。电容是由两片金属膜紧靠，中间用绝缘材料隔而组成的元件。电容的特性主要是隔直流通交流。电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。容抗XC=1/2πfc(f表示交流信号的频率，C表示电容容量)电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉（F）表示，其它单位还有：毫法（mF）、微法（uF）、纳法（nF）、皮法（pF）。时要盖好外盖，接线牢靠，消除一切污垢，并定期进行。检查热元件是否良好，不得拆下，必要时进行通电实验。热元件容量与被保护电路负载相适应，各部件位置不得随意变动；检查热元件周围环境温度与电动机周围环境温度，如前者较后者高出15～25℃，则应选用高 热元件；如低出15～25℃时，则应选用低 热元件。热继电器运行时除温差要求外，要求其环境温度在-30～+40℃范围内；检查连接端有无不合理的发热现象等。MOS管型防反接保护电路利用了MOS管的关特性，控制电路的导通和断来设计防反接保护电路，由于功率MOS管的内阻很小，现在MOSFETRds（on）已经能够到毫欧级，解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。极性反接保护将保护用场效应管与被保护电路串联连接。保护用场效应管为PMOS场效应管或NMOS场效应管。若为PMOS，其栅极和源极分别连接被保护电路的接地端和电源端，其漏极连接被保护电路中PMOS元件的衬底。

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